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기판 온도 변화에 따른 Cu(In,Ga)Se2 박막에 관한 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박정철 | - |
| dc.contributor.author | 추순남 | - |
| dc.date.available | 2020-02-29T01:45:07Z | - |
| dc.date.created | 2020-02-12 | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/15133 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문은 동시 진공증발법으로 Cu(InGa)Se2 박막을 제작하였으며 각 단계별로 제작된 시편의 표면 및 특성을 분석하였다. 1단계에서 기판온도가 400℃일 때 InGaSe2상이 형성되었으며 기공이 많이 발생되지 않았다. 2단계,3단계에서는 기판온도가 480℃ 이상일 때 입자 크기가 커졌으며 Cu(In0.7Ga0.3)Se2 상이 형성되었다. 열처리 전·후의 XRD분석 결과, 열처리 후에는 Cu2Se상이 없어지고 Cu(ln0.7Ga0.3)Se2 단일상으로 구성되었다. 열처리 전·후의의 흡수 스펙트럼은 변화가 없었다. 즉 흡수 스펙트럼은 열처리와는 무관하다는 것을 알 수가 있었다. | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.title | 기판 온도 변화에 따른 Cu(In,Ga)Se2 박막에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | A Study on Cu(In,Ga)Se2 Thin Film with Substrate Temperature Change | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2013.26.12.888 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.26, no.12, pp.888 - 893 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001824477 | - |
| dc.citation.endPage | 893 | - |
| dc.citation.startPage | 888 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 26 | - |
| dc.citation.number | 12 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 박정철 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 추순남 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Co-evaporation method | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Cu(In | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Ga)Se2 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Vacancy | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Absorbency spectra | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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