PBTI에 의한 무접합 및 반전모드 다중게이트MOSFET의 소자 특성 저하 비교 분석
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 김진수 | - |
dc.contributor.author | 홍진우 | - |
dc.contributor.author | 김혜미 | - |
dc.contributor.author | 이재기 | - |
dc.contributor.author | 박종태 | - |
dc.date.available | 2020-02-29T03:44:04Z | - |
dc.date.created | 2020-02-12 | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.issn | 2234-4772 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/15672 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 다중게이트 구조인 나노 와이어 n-채널 무접합(junctionless)와 반전모드(inversion mode) 다중게이트 MOSFET(Multiple-Gate MOSFET : MuGFET)의 PBTI에 의한 소자 특성 저하를 비교 분석하였다. PBTI에 의해서 무접합 및 반전모드 소자의 문턱전압이 증가하는 것으로 관측되었으며 무접합 소자의 문턱전압 변화가 반전모드 소자보다 작음을 알 수 있었다. 그러나 소자특성 저하 비율은 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것으로 관측되었다. 특성저하 활성화 에너지는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자 특성 저하가 무접합 소자보다 반전모드 소자가 더 심한 것을 분석하기 위하여 3차원 소자 시뮬레이션을 수행하였다. 같은 게이트 전압에서 전자의 농도는 같으나 수직방향의 전계는 반전모드 소자가 무접합 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국정보통신학회 | - |
dc.relation.isPartOf | 한국정보통신학회논문지 | - |
dc.title | PBTI에 의한 무접합 및 반전모드 다중게이트MOSFET의 소자 특성 저하 비교 분석 | - |
dc.title.alternative | Comparative Analysis of PBTI Induced Device Degradation in Junctionless and Inversion Mode Multiple-Gate MOSFET | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.identifier.doi | 10.6109/jkiice.2013.17.1.151 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국정보통신학회논문지, v.17, no.1, pp.151 - 157 | - |
dc.identifier.kciid | ART001739256 | - |
dc.citation.endPage | 157 | - |
dc.citation.startPage | 151 | - |
dc.citation.title | 한국정보통신학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 17 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이재기 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Junctionless MuGFET | - |
dc.subject.keywordAuthor | Inversion mode MuGFET | - |
dc.subject.keywordAuthor | PBTI | - |
dc.subject.keywordAuthor | Device degradation | - |
dc.subject.keywordAuthor | 무접합 다중게이트 MOSFET | - |
dc.subject.keywordAuthor | 반전모드 다중게이트 MOSFET | - |
dc.subject.keywordAuthor | PBTI | - |
dc.subject.keywordAuthor | 소자 특성 저하 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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