동시진공증발법을 이용한 Cu(In,Ga)Se2 박막 제작에 관한 연구

Abstract

동시진공증발법(co-evaporation)으로 Cu(In,Ga)Se2 박막을 제작하는 논문으로서 1단계(1st-stage)에서 기판온도(substrate temperature)가 400℃에서 In2Se3상( In2Se3 phase)이 존재하였으며 2,3단계(2nd-stage, 3rd-stage) 에서 기판온도 변화에 따른 흡수 스펙트럼(absorbency spectrum)은 차이가 크지 않다. 이것은 박막의 두께가 전부 1μm 이상이므로 흡수 스펙트럼(absorbency spectrum)은 거의 차이가 없다. 2,3단계에서 기판온도 변화에 따른 SEM과 XRD를 분석한 결과, 기판온도가 증가할수록 결정구조(crystal structure)의 밀도(density)가 증가하고 기공(vacancy)이 감소하며 480℃,500℃에서 Cu(In0.7Ga0.3)Se2상(μm)이 형성되었다.