Sputtering을 이용한 CdS 증착에 관한 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이달호 | - |
dc.contributor.author | 박정철 | - |
dc.date.available | 2020-09-01T01:35:45Z | - |
dc.date.created | 2020-09-01 | - |
dc.date.issued | 2020-08 | - |
dc.identifier.issn | 2005-081X | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/78109 | - |
dc.description.abstract | 본 논문은 multiplex deposition sputter system을 이용하여 ITO 유리에 CdS 박막을 증착하여 태양전지에 적용될 수 있는 가장 좋은 조건을 찾고자 하였다. RF power를 50W, 100W, 150W로 변화주었고 스퍼터링시간은 10분으로 하였다. 투과율을 측정한 결과, 400~800 nm 영역에서 평균 투과율은 60%에서 80% 까지 측정되었으며 150W일 때 84%로 가장 좋은 특성이 측정되었다. 또한 밴드갭은 50W일 때 3.762eV, 100W일 때 4.037eV, 150W일 때 4.052eV로 측정되었다. XRD 분석에서는 RF power가 증가하여도 CdS의 구조인 Wurtzite(hexagonal)로 관찰되었다. 그리고 RF power가 증가할수록 입자가 크고 균일하게 증착 되었나, 100W 일 때 입자들이 조밀하게 구성되었고 밀도가 크다는 것을 알 수 있었다. 그리고 두께 측정 결과 RF power 가 증가할수록 균일성 있게 증가되었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국정보전자통신기술학회 | - |
dc.relation.isPartOf | 한국정보전자통신기술학회 논문지 | - |
dc.title | Sputtering을 이용한 CdS 증착에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | A Study on CdS Deposition using Sputtering | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국정보전자통신기술학회 논문지, v.13, no.4, pp.293 - 297 | - |
dc.identifier.kciid | ART002620077 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 297 | - |
dc.citation.startPage | 293 | - |
dc.citation.title | 한국정보전자통신기술학회 논문지 | - |
dc.citation.volume | 13 | - |
dc.citation.number | 4 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이달호 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 박정철 | - |
dc.subject.keywordAuthor | band gap | - |
dc.subject.keywordAuthor | deposition | - |
dc.subject.keywordAuthor | ITO glass | - |
dc.subject.keywordAuthor | RF power | - |
dc.subject.keywordAuthor | transmittance | - |
dc.subject.keywordAuthor | XRD | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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