FeCl3를 이용한 SUS MASK 에칭에 관한 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이우식 | - |
dc.date.available | 2020-11-03T01:41:20Z | - |
dc.date.created | 2020-11-03 | - |
dc.date.issued | 2020-10 | - |
dc.identifier.issn | 2005-081X | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/78806 | - |
dc.description.abstract | 본 논문은 에칭액FeCl3)의 비중을 정확히 제어할 수 있는 자동 액 관리시스템을 제작하여 OLED에 적용되는 SUS MASK 제작하였다. 그리고 홀 직경을 0.4 mm로 목표치를 정하였다. 본 실혐 결과, FeCl3의 비중(S.G) 값을 1.43에서 1.49까지 변화를 주었을때 에칭 속도는 빨라졌다. 그리고 비중이 1.49일 때, 홀직경이 0.405 mm로의 목표치에 접근한 것을 알 수가 있었다. 압력분사를 2.0 kg/cm2~3.5 kg/cm2까지 변화를 주었을 때 3.0 kg/cm2에서 홀 직경은 평균 0.4 mm로 목표치와 일치하였다. FeCl3에 HCl과 H2O을 혼합하여 비중을 1.430으로 설정하고 분사 압력을 3.0 kg/cm2으로 고정시키고 첨가제를 1.2%로 적용하여 비중 변화에 따른 특성을 분석하였다. 비중을 1.460 ~ 1.469까지 변화주었을 때 비중이 증가할수록 에칭속도는 0.564에서 0.540으로 빨라졌다. 그리고 비중이 1.467일 때 홀 직경이 0.4 mm로 측정되어 목표치에 도달하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국정보전자통신기술학회 | - |
dc.relation.isPartOf | 한국정보전자통신기술학회 논문지 | - |
dc.title | FeCl3를 이용한 SUS MASK 에칭에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | A Stdudy on SUS MASK Etching using of FeCl3 | - |
dc.type | Article | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 한국정보전자통신기술학회 논문지, v.13, no.5, pp.412 - 418 | - |
dc.identifier.kciid | ART002640610 | - |
dc.citation.endPage | 418 | - |
dc.citation.startPage | 412 | - |
dc.citation.title | 한국정보전자통신기술학회 논문지 | - |
dc.citation.volume | 13 | - |
dc.citation.number | 5 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이우식 | - |
dc.subject.keywordAuthor | etching speed | - |
dc.subject.keywordAuthor | FeCl3 | - |
dc.subject.keywordAuthor | hydrochloric acid | - |
dc.subject.keywordAuthor | OLED | - |
dc.subject.keywordAuthor | SUS mask | - |
dc.subject.keywordAuthor | specific gravity | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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