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헤테로 반데르발스 에피택시 기법과 MOCVD 공법을 이용한 고품질의 단일층 MoS2 성장
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박원일 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-02T09:31:26Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-02T09:31:26Z | - |
| dc.date.issued | 2020-02-13 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/10274 | - |
| dc.title | 헤테로 반데르발스 에피택시 기법과 MOCVD 공법을 이용한 고품질의 단일층 MoS2 성장 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.citation.conferenceName | 제 27회 한국반도체학술대회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 강원도 하이원 크랜드호텔[컨벤션타워] | - |
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 신소재공학부 > 2. Conference Papers
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