HVPE 법을 활용한 GaN 성장 시 질화처리에 관한 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 이승훈 | - |
dc.contributor.author | 이주형 | - |
dc.contributor.author | 이희애 | - |
dc.contributor.author | 오누리 | - |
dc.contributor.author | 이성철 | - |
dc.contributor.author | 강효상 | - |
dc.contributor.author | 이성국 | - |
dc.contributor.author | 양재득 | - |
dc.contributor.author | 박재화 | - |
dc.date.accessioned | 2022-07-09T11:54:08Z | - |
dc.date.available | 2022-07-09T11:54:08Z | - |
dc.date.created | 2021-05-11 | - |
dc.date.issued | 2019-08 | - |
dc.identifier.issn | 1225-1429 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/147398 | - |
dc.description.abstract | HVPE는 GaN 단결정의 제조 방법 중 하나로 빠른 성장 속도가 장점인 상업적으로 널리 사용되는 성장 방법이 다. HVPE 법에 의한 GaN 단결정 성장은 여러 공정으로 이루어지며, 특히 GaN 성장 전 기판의 질화 처리는 성장되는 GaN 단결정 품질에 상당한 영향을 미친다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 GaN 단결정 성장 시 기판의 질화처리가 성 장되는 GaN 단결정 품질에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 질화 처리를 제외한 다른 성장 조건은 동일하게 하였고 질 화처리 시 기판에 공급되는 가스 유량을 다양하게 변화시킨 후 GaN 박막을 성장시키고, 성장된 GaN의 표면 특성평가를 통하여, HVPE 법에서의 질화처리 효과를 고찰하여 보고자 하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | KOREAN ASSOC CRYSTAL GROWTH, INC | - |
dc.title | HVPE 법을 활용한 GaN 성장 시 질화처리에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | A study on the nitridation of GaN crystal growth by HYPE method | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이성철 | - |
dc.identifier.doi | 10.6111/JKCGCT.2019.29.4.149 | - |
dc.identifier.wosid | 000500927000002 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY, v.29, no.4, pp.149 - 153 | - |
dc.relation.isPartOf | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY | - |
dc.citation.title | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY | - |
dc.citation.volume | 29 | - |
dc.citation.number | 4 | - |
dc.citation.startPage | 149 | - |
dc.citation.endPage | 153 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.type.docType | Article | - |
dc.identifier.kciid | ART002497261 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.relation.journalResearchArea | Crystallography | - |
dc.relation.journalWebOfScienceCategory | Crystallography | - |
dc.subject.keywordPlus | SAPPHIRE | - |
dc.subject.keywordPlus | ALN | - |
dc.subject.keywordAuthor | Gallium nitiride | - |
dc.subject.keywordAuthor | HVPE | - |
dc.subject.keywordAuthor | Nitridation | - |
dc.subject.keywordAuthor | Surface morphology | - |
dc.subject.keywordAuthor | Hillock | - |
dc.identifier.url | http://koreascience.or.kr/article/JAKO201925462478544.page | - |
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