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멀티 레벨 셀 NAND 플래시 메모리의 셀 간 간섭 영향을 감소시키기 위한 문턱 전압 제어 방법
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이형간 | - |
| dc.contributor.author | 김성래 | - |
| dc.contributor.author | 이명규 | - |
| dc.contributor.author | 공준진 | - |
| dc.contributor.author | 신동준 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-07-16T12:49:59Z | - |
| dc.date.available | 2022-07-16T12:49:59Z | - |
| dc.date.created | 2021-05-13 | - |
| dc.date.issued | 2012-11 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/164206 | - |
| dc.description.abstract | 논문은 2-비트 4-레벨 셀 NAND 플래시 메모리에서 발생하는 인접 셀 간섭으로 인한 심벌 오류를 낮추기 위한 문턱 전압 제어 기법을 소개한다. 특정 셀의 프로그램 상태의 전압 분포를 가우시안 mixture로 가정하고, 인접 셀 간섭을 확률 모델링한다. 확률 모델을 이용하여 셀 간섭이 발생한 후의 문턱 전압을 우도(likelihood) 함수를 이용하여 찾아 문턱 전압 제어에 이용하여 셀 간섭 후 발생하는 오류를 최소화 한다. | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국통신학회 | - |
| dc.title | 멀티 레벨 셀 NAND 플래시 메모리의 셀 간 간섭 영향을 감소시키기 위한 문턱 전압 제어 방법 | - |
| dc.title.alternative | The Threshold Voltage Control Method for Mitigating Cell-to-Cell Interference in Multi-Level Cell NAND Flash Memory | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 신동준 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국통신학회 추계종합학술발표회, pp.79 - 80 | - |
| dc.relation.isPartOf | 한국통신학회 추계종합학술발표회 | - |
| dc.citation.title | 한국통신학회 추계종합학술발표회 | - |
| dc.citation.startPage | 79 | - |
| dc.citation.endPage | 80 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.type.docType | Proceeding | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
| dc.identifier.url | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE02146392 | - |
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