Wide Band Gap 반도체 소자 적용한 False 트리거 방지를 위한 높은 노이즈 마진을 가진 과전류 검출 회로
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 백몽요 | - |
dc.contributor.author | 민성수 | - |
dc.contributor.author | 김래영 | - |
dc.date.accessioned | 2023-08-01T07:01:51Z | - |
dc.date.available | 2023-08-01T07:01:51Z | - |
dc.date.created | 2023-07-21 | - |
dc.date.issued | 2022-07 | - |
dc.identifier.issn | 2636-1620 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/188641 | - |
dc.description.abstract | 현재 높은 효율을 달성하기 위해 SiC MOSFET, GaN HEMTs같은 Rds(on)이 낮은 Wide Band Gap(WBG) 전력 반도체 소자를많이 사용하고 있다. 그러나 Rds(on) 이 낮을수록 정상동작 시Device Under Tester(DUT)의 드레인-소스 센싱 전압과트리거 전압의 마진확보가 어려우며 오검출 가능성이 높아진다.본 논문에서는 연료전지용 Full-bridge 공진형 LLC 컨버터의SiC MOSFET 병렬구동 시 강인한 노이즈 내성을 가진 과전류검출 회로를 제안한다. 제안 회로는 Arm-short뿐만 아니라과전류 검출도 가능한다. 또한, 본 논문에서는 드레인-소스센싱전압과 트리거 전압의 마진 설계를 제시하고 LTspice시뮬레이션을 통해 성능을 검증한다. 시뮬레이션 결과에 따르면제안된 회로는 정상동작 시 전압마진을 확보하고 Fault 발생 시빠른 시간내에 DUT를 Turn-off 시킨다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 전력전 | - |
dc.title | Wide Band Gap 반도체 소자 적용한 False 트리거 방지를 위한 높은 노이즈 마진을 가진 과전류 검출 회로 | - |
dc.title.alternative | An Overcurrent Detection Circuit for Wide Band Gap Semiconductor with High Noise Margin to Prevent False-Triggered Detection | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 김래영 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전력전자하계학술대회 논문집, pp.246 - 248 | - |
dc.relation.isPartOf | 전력전자하계학술대회 논문집 | - |
dc.citation.title | 전력전자하계학술대회 논문집 | - |
dc.citation.startPage | 246 | - |
dc.citation.endPage | 248 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.type.docType | Proceeding | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
dc.identifier.url | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE11116338 | - |
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