HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Lee, Joo Hyung | - |
dc.contributor.author | Lee, Seung Hoon | - |
dc.contributor.author | Lee, Hee Ae | - |
dc.contributor.author | Kang, Hyo Sang | - |
dc.contributor.author | Oh, Nuri | - |
dc.contributor.author | Yi, Sung Chul | - |
dc.contributor.author | Lee, Seong Kuk | - |
dc.contributor.author | Park, Jae Hwa | - |
dc.date.accessioned | 2021-07-30T04:53:50Z | - |
dc.date.available | 2021-07-30T04:53:50Z | - |
dc.date.created | 2021-05-11 | - |
dc.date.issued | 2020-04 | - |
dc.identifier.issn | 1225-1429 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/1978 | - |
dc.description.abstract | 본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10,15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 G aN on GaN t emplate 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonalpit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress감소 가능성에 대해 확인하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | KOREAN ASSOC CRYSTAL GROWTH, INC | - |
dc.title | HVPE 법을 통한 GaN 성장 시 기판 종류 및 V/III 비에 따른 잔류 stress 특성 연구 | - |
dc.title.alternative | Study on residual stress characteristics according to the substrate type and V/III ratio during GaN growth by HVPE | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | Oh, Nuri | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | Yi, Sung Chul | - |
dc.identifier.doi | 10.6111/JKCGCT.2020.30.2.041 | - |
dc.identifier.wosid | 000537725000001 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY, v.30, no.2, pp.41 - 46 | - |
dc.relation.isPartOf | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY | - |
dc.citation.title | JOURNAL OF THE KOREAN CRYSTAL GROWTH AND CRYSTAL TECHNOLOGY | - |
dc.citation.volume | 30 | - |
dc.citation.number | 2 | - |
dc.citation.startPage | 41 | - |
dc.citation.endPage | 46 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.type.docType | Article | - |
dc.identifier.kciid | ART002580682 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.relation.journalResearchArea | Crystallography | - |
dc.relation.journalWebOfScienceCategory | Crystallography | - |
dc.subject.keywordPlus | CATHODOLUMINESCENCE | - |
dc.subject.keywordAuthor | Gallium nitride | - |
dc.subject.keywordAuthor | HVPE | - |
dc.subject.keywordAuthor | V/III ratio | - |
dc.subject.keywordAuthor | Hexagonal pit | - |
dc.subject.keywordAuthor | Stress | - |
dc.identifier.url | http://koreascience.or.kr/article/JAKO202013461499694.page | - |
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