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MLC 낸드 플래시 메모리의 LSB 페이지 NOP 기법과 성능 검증
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김용완 | - |
| dc.contributor.author | 이학용 | - |
| dc.contributor.author | 정상혁 | - |
| dc.contributor.author | 송용호 | - |
| dc.date.accessioned | 2024-12-20T06:20:27Z | - |
| dc.date.available | 2024-12-20T06:20:27Z | - |
| dc.date.issued | 2012-02 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/202601 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문은 MLC 낸드 플래시 메모리의 내구성을 향상시키기 위해, 효과적으로 블록 소거 연산 횟수를 감소시킬 수 있는 LSB페이지 NOP 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 물리적으로 동일한 주소의 LSB 페이지에 데이터를 업데이트 하는 경우, 블록소거 연산 없이 연속된 쓰기 연산이 가능하도록 지원한다. 제안하는 기법을 통한 MLC 낸드 플래시의 내구성과 성능 변화를확인하기 위해, P/E-cycle 증가에 따른 bit error rates 및 쓰기 연산 시간을 측정하였다. 실험 결과를 통해서 LSB 페이지NOP 기법의 효용성을 검증하고 구현 가능성을 확인하였다. | - |
| dc.format.extent | 2 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국통신학회 | - |
| dc.title | MLC 낸드 플래시 메모리의 LSB 페이지 NOP 기법과 성능 검증 | - |
| dc.title.alternative | Performance validation for Applying NOP Schemein LSB page of MLC NAND flash memory | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2012년도 한국통신학회 동계종합학술발표회, pp 459 - 460 | - |
| dc.citation.title | 2012년도 한국통신학회 동계종합학술발표회 | - |
| dc.citation.startPage | 459 | - |
| dc.citation.endPage | 460 | - |
| dc.type.docType | Proceeding | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | domestic | - |
| dc.identifier.url | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE02039286 | - |
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 1. Journal Articles
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