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플라즈마 처리가 원거리 원자층 증착법으로 증착된 실리콘 질화물 게이트 스페이서에 끼치는 효과
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전형탁 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-02T20:53:08Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-02T20:53:08Z | - |
| dc.date.issued | 2018-04-20 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/29097 | - |
| dc.title | 플라즈마 처리가 원거리 원자층 증착법으로 증착된 실리콘 질화물 게이트 스페이서에 끼치는 효과 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.citation.conferenceName | 2018년 춘계학술대회 4차 산업혁명을 준비하는 반도체/디스플레이 기술 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 한국기계연구원 | - |
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 신소재공학부 > 2. Conference Papers
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