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Fringing field 효과를 이용한 금속 공간층을 갖는 metal-oxide-nitride-oxide-silicon 낸드플래쉬 기억소자의 전기적 특성
- Authors
- 김태환
- Issue Date
- 20-Oct-2010
- Publisher
- 한국 물리학회
- Citation
- 2010년 한국 물리학회 가을학술논문 발표회
- Conference Name
- 2010년 한국 물리학회 가을학술논문 발표회
- Place
- 휘닉스 파크, 강원도 보광, Korea
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- Appears in
Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 2. Conference Papers
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