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ZnO 나노입자가 포함되어 있는 Polystyrene 층을 활성층으로 사용하여 제작한 WORM 메모리 소자의 전기적 성질
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김태환 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-03T20:21:45Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-03T20:21:45Z | - |
| dc.date.created | 2021-06-30 | - |
| dc.date.issued | 2010-02-17 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/59508 | - |
| dc.publisher | 한국진공학회 | - |
| dc.title | ZnO 나노입자가 포함되어 있는 Polystyrene 층을 활성층으로 사용하여 제작한 WORM 메모리 소자의 전기적 성질 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김태환 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2010년 한국 진공학회 동계 정기학술대회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 2010년 한국 진공학회 동계 정기학술대회 | - |
| dc.citation.title | 2010년 한국 진공학회 동계 정기학술대회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 현대성우리조트, 횡성, Korea | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 2. Conference Papers
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