Application of porous silicon
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이휘건 | - |
dc.date.accessioned | 2021-08-03T23:34:18Z | - |
dc.date.available | 2021-08-03T23:34:18Z | - |
dc.date.created | 2021-06-30 | - |
dc.date.issued | 2008-07-02 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/64284 | - |
dc.description.abstract | 현재 porous silicon 은 개발 단계에만 있고 porous silicon을 응용하여 사용한 것은 없다. porous silicon은 AAO(Anodic aluminium oxide)과 비슷한 특성을 보이며 산업에 무한한 응용을 할 수 있을 것이다. 현재 porous silicon의 제조 방법은 p-type 혹은 n-type의 silicon substrate을 가지고 먼저 Contamination을 제거 한 다음 Hydrous Oxide을 제거 한다. silicon wafer 반대쪽에 aluminium생성 시켜 anode를 형성한다. 그 후에 Electronic chemical method을 이용하여 silicon wafer를 etching 시켜 준다. 이 방법으로 형성된 porous silicon은 일정한 hole을 형성하며 각각의 조건을 바꾸어 주면 pore의 diameter 및 length를 조절 할 수 있다. 이렇게 만들어진 porous silicon에 여러 방법을 통해 metal 혹은 polymer를 형성시켜 porous silicon의 특성을 바꿀 수 있다. | - |
dc.publisher | 대한화학회 물리화학분과 | - |
dc.title | Application of porous silicon | - |
dc.type | Conference | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 이휘건 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 2008 대한화학회 물리화학분과 하계심포지엄 | - |
dc.relation.isPartOf | 2008 대한화학회 물리화학분과 하계심포지엄 | - |
dc.citation.title | 2008 대한화학회 물리화학분과 하계심포지엄 | - |
dc.citation.conferencePlace | 춘천 라데나콘도미니엄 | - |
dc.type.rims | CONF | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
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