수평 배향된 미세 ZnO 나노선 제조 및 전기적 특성 평가

Abstract

최근 들어 반도체 나노선에 관한 많은 연구가 진행 되고 있으나, 대부분은 단일 나노선을 이용해서 만든 기본 소자 구현하는 연구에 국한되고 있다. 이러한 한계에서 벗어나, 나노선을 이용한 나노소자를 실용화하기 위해서는, 나노선을 특정 위치에 배열하는 기술이 요구된다. 본 연구에서는 수평 배향된 초미세 산화아연(ZnO) 나노선을 선택적으로 성장시키고, 이를 이용한 나노소자 어레이를 구현하였다. 우선, 비정질 기판 위에 금속패턴을 형성시킨 후, 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 미세 ZnO 나노선을 선택적으로 성장시켰으며, 성장된 초미세 나노선은 기판과의 강한 van der Waals힘으로 인해 수평 배향된다. 이러한 수평 배향된 나노선 위에 금속전극을 형성시켜서 전계트렌지스터(field-effect transistor)를 만들고 이들의 전기적 특성을 조사하였다.