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HfO2/SiOxNy/Si 게이트 구조의 열처리에 따른 열적 안정성과 전기적 특성"
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전형탁 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-04T03:49:44Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-04T03:49:44Z | - |
| dc.date.issued | 2005-11-10 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/71133 | - |
| dc.title | HfO2/SiOxNy/Si 게이트 구조의 열처리에 따른 열적 안정성과 전기적 특성" | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.citation.conferenceName | 2005년도 한국재료학회 추계학술대회 및 제9회 신소재 심포지엄 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 한양대학교 한양종합 기술연구동(HIT) | - |
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 신소재공학부 > 2. Conference Papers
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