characterization of ZnO NRAs(nanorods arrays)

Abstract

ZnO는 wide band gap (band gap energy 3.37eV) 의 특성을 가지는 대표적인 물질로 청색을 발광하는 주요한 source이다. 또 ZnO는 상온에서 thermal energy(26meV)에 비해 exciton binding energy( 60meV)가 크기 때문에 UV(ultraviolet) laser device로 가장 적당한 물질이다.[1] electroluminescence, photoluminescence 한 성질은 이러한 성질과 더불어 여러 가지 측면에서 ZnO의 전자소재로의 응용을 다양하게 한다. 최근 ZnO nanowires를 solution 상태에서 손쉽게 합성하는 방법이 보고되었다. 이 방법은 template가 필요 없고 95°C의 비교적 낮은 온도에서 합성이 가능하며, 어떠한 substrate도 사용이 가능하다는 장점이 있다. 또한 사용하는 solution의 농도와 반응시간에 따라 ZnO nanowires의 지름과 길이를 조절할 수 있다는 큰 장점이 있다. 본 논문에서는 이렇게 합성한 ZnO nanowires의 field emission, secondary electron emissionm을 측정하고 thiol과의 흡착을 통해 변화되는 current를 확인함으로써 합성된 ZnO nanowires의 전자적 특성을 확인했다.