The fabrication of Er-doped silica film for optical amplifier

Abstract

Erbium 첨가 실리카 박막의 소결공정은 1300℃-1330℃에서 열처리가 적당하였으며, RBS 정량분석을 통해 solution doping법에 의해 첨가된 실리카 박막내 Erbium의 농도를 구할 수 있었다. Prism coupler법을 통해 본 연구에서 제작된 시편의 굴절률을 측정하였으며, 그 결과 Erbium의 농도에 따라서 굴절률이 증가하는 양상을 확인할 수 있었으며, 형광측정을 통해 실리카 박막내의 Erbium ions는 4I13/2로부터 4I15/2로의 전이에 의해 나오는 형광을 확인할 수 있었다. 이 형광스펙트럼을 통해 SiO2-GeO2-P2O5-B2O3조성의 실리카박막에서의 형광형태가 기존의 EDFA의 형광형태와는 다소 다른 것을 알 수 있었으며, 각 stark levels에 따른 형광 크기가 달라 host재료의 조성을 변화시켜면 이득평탄화에도 응용할 수 있을 것으로 생각된다.