열린 비아 Hole의 전기도금 Filling을 이용한 Cu 관통비아 형성공정
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김재환 | - |
dc.contributor.author | 박대웅 | - |
dc.contributor.author | 김민영 | - |
dc.contributor.author | 오태성 | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-11T03:41:19Z | - |
dc.date.available | 2021-11-11T03:41:19Z | - |
dc.date.created | 2021-10-25 | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/16829 | - |
dc.description.abstract | 써멀비아나 수직 배선으로 사용하기 위한 Cu 관통비아를 열린 비아 hole의 top-down filling 도금공정과bottom-up filling 도금공정으로 형성 후 미세구조를 관찰하였다. 직류도금전류를 인가하면서 열린 비아 홀 내를 top-downfilling 도금하거나 bottom-up filling 도금함으로써 내부기공이 없는 건전한 Cu 관통비아를 형성하는 것이 가능하였다. 열린 비아 홀의 top-down filling 공정에서는 Cu filling 도금 후 시편의 윗면과 밑면에서 과도금된 Cu 층을 제거하기 위한chemical-mechanical polishing(CMP) 공정이 요구되는데 비해, 열린 비아 홀의 bottom-up filling 공정에서는 과도금된 Cu층을 제거하기 위한 CMP 공정이 시편 윗면에서만 요구되는 장점이 있었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
dc.title | 열린 비아 Hole의 전기도금 Filling을 이용한 Cu 관통비아 형성공정 | - |
dc.title.alternative | Cu Through-Via Formation using Open Via-hole Filling with Electrodeposition | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 오태성 | - |
dc.identifier.doi | 10.6117/kmeps.2014.21.4.117 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.21, no.4, pp.117 - 123 | - |
dc.relation.isPartOf | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.title | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
dc.citation.volume | 21 | - |
dc.citation.number | 4 | - |
dc.citation.startPage | 117 | - |
dc.citation.endPage | 123 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001950825 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | Cu via | - |
dc.subject.keywordAuthor | thermal via | - |
dc.subject.keywordAuthor | TSV | - |
dc.subject.keywordAuthor | electrodeposition | - |
dc.subject.keywordAuthor | open via | - |
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