비정질 실리콘의 결정화를 위한 줄 가열 유도 결정화 공정에 대한 열적 연구
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김동현 | - |
dc.contributor.author | 박승호 | - |
dc.contributor.author | 홍원의 | - |
dc.contributor.author | 노재상 | - |
dc.date.accessioned | 2021-12-15T04:41:34Z | - |
dc.date.available | 2021-12-15T04:41:34Z | - |
dc.date.created | 2021-12-10 | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.issn | 1226-4881 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/20401 | - |
dc.description.abstract | 대면적 비정질 실리콘 박막의 결정화는 평판 디스플레이 생산에 있어서 핵심 요소로 꼽힌다. 현재 다양한 결정화 기술들이 연구 되고 있으며 그 중 최근에 소개된 줄 가열 유도 결정화는 수십 마이크로초의 짧은 공정 시간, 대면적 결정화 그리고 국부적인 가열로 기판의 열변형 억제 등의 잇점으로 인해 AMOLED 제작에 있어서 기대되는 기술이다. 본 연구에서는 JIC 공정 중 상변화과정에서의 온도를 이론적으로 해석하고 이를 실험과 비교하였다. 이를 통하여 결정화 메커니즘을 결정하는 임계온도를 in-situ 실험과 수치해석을 통해 밝혀내었다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 대한기계학회 | - |
dc.title | 비정질 실리콘의 결정화를 위한 줄 가열 유도 결정화 공정에 대한 열적 연구 | - |
dc.title.alternative | Thermal Investigation of Joule-Heating-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 박승호 | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 노재상 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 대한기계학회논문집 B, v.35, no.3, pp.221 - 228 | - |
dc.relation.isPartOf | 대한기계학회논문집 B | - |
dc.citation.title | 대한기계학회논문집 B | - |
dc.citation.volume | 35 | - |
dc.citation.number | 3 | - |
dc.citation.startPage | 221 | - |
dc.citation.endPage | 228 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001530337 | - |
dc.description.journalClass | 1 | - |
dc.description.journalRegisteredClass | scopus | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
dc.subject.keywordAuthor | 결정화 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 다결정 실리콘 | - |
dc.subject.keywordAuthor | 줄 가열 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Crystallization | - |
dc.subject.keywordAuthor | Poly-Silicon | - |
dc.subject.keywordAuthor | Joule-Heating | - |
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