MEMS 패키지용 Hollow Cu 관통비아의 형성공정

Abstract

MEMS 패키징용 hollow Cu 비아의 형성거동을 분석하기 위해, 펄스-역펄스 전류밀도 및 도금시간에 따른 hollow Cu 비아의 미세구조를 관찰하고 평균 두께 및 두께 편차를 측정하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -5 mA/㎠와 15 mA/㎠로 유지하며 3시간 도금시 hollow Cu 비아의 평균 도금두께는 5 μm이었으며 표준편차는 0.63 μm이었다. 도 금시간을 6시간으로 증가시 평균 도금두께는 10 μm, 표준편차는 1 μm로 균일한 두께의 hollow Cu 비아를 형성하는 것 이 가능하였다. 펄스-역펄스 전류밀도를 -10 mA/㎠와 30 mA/㎠ 이상으로 증가시킨 경우에는 도금시간 증가에 따라 도금두께보다 도금두께의 표준편차가 더 크게 증가하여 균일한 hollow Cu 비아의 형성이 어려웠다.