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Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이광용 | - |
| dc.contributor.author | 오택수 | - |
| dc.contributor.author | 오태성 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-02-07T06:42:05Z | - |
| dc.date.available | 2022-02-07T06:42:05Z | - |
| dc.date.created | 2022-02-07 | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-9360 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/24699 | - |
| dc.description.abstract | 칩 스택 패키지의 삼차원 interconnection에 적용을 위해 폭 75~10㎛, 길이 3mm의 트랜치 비아에 대해 전기도금전류밀도 및 전류모드에 따른 Cu filling 특성을 분석하였다. 직류모드로 1.25mA/cm2에서 Cu filling한 경우, 트랜치 비아의 폭이 75~35㎛ 범위에서는 95% 이상의 높은 Cu filling ratio를 나타내었다. 직류 전류밀도 2.5mA/cm2에서 Cu filling한 경우에는 1.25mA/cm2 조건에 비해 열등한 Cu filling ratio를 나타내었으며, 직류모드에 비해 펄스모드가 우수한 Cu filling 특성을 나타내었다. | - |
| dc.publisher | 한국마이크로전자및패키징학회 | - |
| dc.title | Electrodeposition 변수에 따른 Trench Via의 Cu Filling 특성 | - |
| dc.title.alternative | Cu Filling Characteristics of Trench Vias with Variations of Electrodeposition Parameters | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 오태성 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 마이크로전자 및 패키징학회지, v.13, no.4, pp.57 - 64 | - |
| dc.relation.isPartOf | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
| dc.citation.title | 마이크로전자 및 패키징학회지 | - |
| dc.citation.volume | 13 | - |
| dc.citation.number | 4 | - |
| dc.citation.startPage | 57 | - |
| dc.citation.endPage | 64 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART001132347 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | chip stack | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Cu via | - |
| dc.subject.keywordAuthor | electroplating | - |
| dc.subject.keywordAuthor | current density | - |
| dc.subject.keywordAuthor | current mode | - |
| dc.subject.keywordAuthor | chip stack | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Cu via | - |
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