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AMFC system에서의 비정질 실리콘 박막의 결정화 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강구현 | - |
| dc.contributor.author | 이수경 | - |
| dc.contributor.author | 김선호 | - |
| dc.contributor.author | 남승의 | - |
| dc.contributor.author | 김형준 | - |
| dc.contributor.author | 이승재 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-02-17T05:41:03Z | - |
| dc.date.available | 2022-02-17T05:41:03Z | - |
| dc.date.created | 2022-02-17 | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.issn | 1225-8822 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/25589 | - |
| dc.description.abstract | a-Si을 poly-Si으로 결정화하는 전형적인 방법으로는 고상결정화(Solid Phase Crystallization, SPC)가 있다 [1-3]. 고상결정화는 균일한 공정특성과 생산비가 저렴하다는 장점이 있으나, 고상결정화 공정에서 높은 공정온도와 긴 공정 시간은 유리 기판의 손상으로 인해 적용되기 어렵다. 본 논문에서는 고상결정화의 저온공정과 짧은 공정시간을 위해 교번자장결정화(Alternating Magnetic Field Crystallization, AMFC) 시스템 내에서 결정화하는 동안 교번자장(Alternating Magnetic Field)을 적용하는 새로운 방법을 소개한다. 고상결정화의 경우, 열처리 시간은 570oC에서 24시간이 소요되었으나, 교번자장결정화의 경우, 같은 온도에서 20분이 소요되었다. | - |
| dc.publisher | 한국진공학회 | - |
| dc.title | AMFC system에서의 비정질 실리콘 박막의 결정화 특성 | - |
| dc.title.alternative | Crystallization characteristics of the amorphous Si thin films in the AMFC system | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 남승의 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김형준 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | Applied Science and Convergence Technology, v.14, no.1, pp.23 - 27 | - |
| dc.relation.isPartOf | Applied Science and Convergence Technology | - |
| dc.citation.title | Applied Science and Convergence Technology | - |
| dc.citation.volume | 14 | - |
| dc.citation.number | 1 | - |
| dc.citation.startPage | 23 | - |
| dc.citation.endPage | 27 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART000950085 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | 교번자장결정화 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Alternating Magnetic Field Crystallization | - |
| dc.subject.keywordAuthor | a-Si | - |
| dc.subject.keywordAuthor | poly-Si. | - |
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