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다결정 실리콘 박막 위에 P 이온 샤워 도핑 후 열처리 방법에 따르는 도펀트 활성화 및 결함 회복에 관한 효과
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김동민 | - |
| dc.contributor.author | 노재상 | - |
| dc.contributor.author | 이기용 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-02-17T05:41:25Z | - |
| dc.date.available | 2022-02-17T05:41:25Z | - |
| dc.date.created | 2022-02-17 | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-1935 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/25611 | - |
| dc.description.abstract | Ion-Shower-Doping 장비 및 PH3/H2 혼합 가스를 사용하여 Phosphorous를 ELA 방법으로 제조된 Poly-Si에 가속 전압 및 조사량을 변수로 이온 주입하였다. as-implanted된 시편의 결정도는 UV-transmittance spectroscopy를 사용하여 측정하였다. 이 때 UV-transmittance를 이용하여 측정한 값은 Raman spectroscopy를 이용해서 측정한 값과 서로 관련되어 있음을 알았다. 면 저항은 가속전압이 1kV에서 15kV 까지 증가함에 따라 감소한다. 그러나 가혹한 도핑조건 하에서는 가속전압의 증가 시 면 저항이 증가한다. 이는 활성화 열처리 후 치유되지 않은 결함에 의해 전자가 포획되며 이에 따라 전하 운반자의 농도가 감소하는 때문이다. 활성화 열처리는 로열처리, RTA 열처리, ELA 열처리 등의 방법으로 수행하였고 열처리 방법에 따르는 도펀트의 활성화 및 결함의 회복의 거동을 연구하였다. | - |
| dc.publisher | 한국전기화학회 | - |
| dc.title | 다결정 실리콘 박막 위에 P 이온 샤워 도핑 후 열처리 방법에 따르는 도펀트 활성화 및 결함 회복에 관한 효과 | - |
| dc.title.alternative | The Effect of Annealing Methods on Dopant Activation and Damage Recovery of Phosphorous Ion Shower Doped Poly-Si | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 노재상 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기화학회지, v.8, no.1, pp.24 - 31 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기화학회지 | - |
| dc.citation.title | 전기화학회지 | - |
| dc.citation.volume | 8 | - |
| dc.citation.number | 1 | - |
| dc.citation.startPage | 24 | - |
| dc.citation.endPage | 31 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART000942736 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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