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SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V 특성의 해석적 도출에 관한 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 朴隆植 | - |
| dc.contributor.author | 서정하 | - |
| dc.contributor.author | 심재훈 | - |
| dc.contributor.author | 方誠晩 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-04-11T03:40:43Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-11T03:40:43Z | - |
| dc.date.created | 2022-04-11 | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.issn | 1229-6368 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/27083 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 thermionic emission 모델을 이용하여 SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V 특성을 해석적으로 도출하였다. SCH의 bulk 캐리어와 양자우물 속박 캐리어의 관계를 도출하였고, 주입된 전류를 각 영역에서의 캐리어 재결합을 고려한 전류 연속 방정식을 만족하도록 하였다. 또한, high level injection과 전하 중성 조건하에 ambipolar 확산 방정식을 이용하여 캐리어 분포를 고찰하였다. 위 해석적인 모델을 이용하여 계산한 결과, 클래딩 영역의 전위장벽 변화가 전류 전압 특성 변화의 주요 원인으로 나타났다. 또한 thermionic emission에 의한 주입 전류의 forward flux 증가가 캐리어 주입을 증가시키고, 레이저 다이오드의 직렬 저항을 감소시키는 것을 보였다. | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V 특성의 해석적 도출에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | A Study on the analytical derivation of the L-I-V characteristics for a SCH QW Laser Diode | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 서정하 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 심재훈 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지 - SD, v.39, no.3, pp.9 - 19 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.title | 전자공학회논문지 - SD | - |
| dc.citation.volume | 39 | - |
| dc.citation.number | 3 | - |
| dc.citation.startPage | 9 | - |
| dc.citation.endPage | 19 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.identifier.kciid | ART000903037 | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
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