기생저항 및 트랜지스터 비대칭이 고저항 SRAM 셀의 읽기동작에 미치는 영향
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 최진영 | - |
dc.contributor.author | 최원상 | - |
dc.date.accessioned | 2022-05-23T05:48:49Z | - |
dc.date.available | 2022-05-23T05:48:49Z | - |
dc.date.created | 2022-05-23 | - |
dc.date.issued | 1997 | - |
dc.identifier.issn | 1226-7244 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hongik/handle/2020.sw.hongik/27862 | - |
dc.description.abstract | 회로 시뮬레이터를 이용하는 DC 셀 노드전압 분석방법을 적용하여, 고저항 SRAM 셀 구조에서 기생저항들과 트랜지스터 비대칭에 의해 야기되는 정적 읽기동작에서의 동작마진을 조사하였다. 이상적인 셀에 기생저항을 선택적으로 추가함으로써 각 기생저항들이 동작 마진에 끼치는 영향을 조사한 뒤, 기생저항이 좌우대칭 쌍으로 존재하는 경우에 대해 조사하고, 또한 셀 트랜지스터의 채널폭을 선택적으로 변화시켜 트랜지스터의 비대칭을 야기시킴으로써 트랜지스터 비대칭에 의한 동작 마진의 저하를 분석하였다. 분석 방법은 시뮬레이션된 셀 노드전압 특성에서 두 셀 노드전압이 하나의 값으로 수렴되는 전원전압의 값과 에서 셀 노드전압의 차를 비교함으로써 상대적인 동작 마진을 비교하는 방법을 사용하였다. 회로 시뮬레이션에 의존한 본 분석으로부터 셀의 정적 읽기동작에 가장 심각한 영향을 끼치는 기생저항 성분과 트랜지스터의 비대칭 형태를 규명함으로써 새로운 셀 구조 설계시 참고할 수 있는 기준을 제시하였다. | - |
dc.language | 한국어 | - |
dc.language.iso | ko | - |
dc.publisher | 한국전기전자학회 | - |
dc.title | 기생저항 및 트랜지스터 비대칭이 고저항 SRAM 셀의 읽기동작에 미치는 영향 | - |
dc.title.alternative | Influence of Parasitic Resistances and Transistor Asymmetries on Read Operation of High-Resistor SRAM Cells | - |
dc.type | Article | - |
dc.contributor.affiliatedAuthor | 최진영 | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자학회논문지, v.1, no.1, pp.11 - 18 | - |
dc.relation.isPartOf | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.title | 전기전자학회논문지 | - |
dc.citation.volume | 1 | - |
dc.citation.number | 1 | - |
dc.citation.startPage | 11 | - |
dc.citation.endPage | 18 | - |
dc.type.rims | ART | - |
dc.identifier.kciid | ART001348154 | - |
dc.description.journalClass | 2 | - |
dc.subject.keywordAuthor | SRAM | - |
dc.subject.keywordAuthor | Asymmetry | - |
dc.subject.keywordAuthor | Cell ratio | - |
dc.subject.keywordAuthor | Read operation | - |
dc.subject.keywordAuthor | Noise margin | - |
dc.subject.keywordAuthor | SRAM | - |
dc.subject.keywordAuthor | Asymmetry | - |
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dc.subject.keywordAuthor | Noise margin | - |
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