그래핀 FET를 이용한 세포 개수 센서

Abstract

Polyethylene terephthalate(PET) 기판에 전사된 그래핀 표면에 이온 용액속에서 동작하는 전계 효과 트랜지스터(graphene solution-gated field-effect transistor; G-SGFET)를 제작하였으며 이를 이용하여 배양된 세포 수를 개수하였다. 배양된 세포 수를 개수하기 위하여 G-SGFET 게이트 채널 표면에 세포를 도포하고 온도 37℃, 5% CO2 조건의 인큐베이터 안에서 G-SGFET의 게이트 채널 표면에 세포 부착을 유도하였다. 세포 부착 여부에 따른 전류-전압 특성 변화를 관찰하기 위해 세포 부착 후 G-SGFET의 게이트-소스 전압(VGS)에 따른 드레인-소스 전류(IDS) 특성과 게이트 채널 표면에 세포 부착 전 IDS-VGS 특성과 비교하였다. 게이트 채널 표면에 세포 부착에 따라 G-SGFET의 Dirac point 전압(VDirac)은 부착 되는 세포 수에 따라 0.29 mV/cell 씩 왼쪽으로 이동하였다.