Poly-TPD/PVK 이중 박막 정공수송층 구조의 양자점발광다이오드

Abstract

Poly-TPD (Poly[bis(4-butypheny)-bis(phenyl)benzidine])와 PVK (poly(9-vinylcarbazole)) 이중층을 용액공정으로 제작한 CdSe/ZnS QLED (quantum dot light emitting diode)의 정공수송층 (HTL, hole transport layer),로 적용하였다. 40 nm 두께의 Poly-TPD 박막위에 0 nm, 35 nm, 45 nm와 55 nm 두께의 PVK 박막을 도포하여 정공수송층을 성막하였다. PVK의 두께가 HTL의 정공수송특성을 결정할 수 있기 때문에 QLED의 HTL 특성을 극대화하기 위해 PVK 두께를 최적화하였다. 정공수송층으로 poly-TPD만으로 되어 있는 QLED 소자에 비하여 poly-TPD위에 도포되어 있는 PVK의 두께가 45 nm인 QLED 소자의 발광 효율이 1.74배 개선되었다. 이것은 HTL와 양자점 발광층 사이 에너지 장벽이 감소된 것에 기인한다.