Poly-TPD/PVK 이중 박막 정공수송층 구조의 양자점발광다이오드Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Poly-TPD/PVK Bilayer Hole Transport Layer
- Other Titles
- Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Poly-TPD/PVK Bilayer Hole Transport Layer
- Authors
- 김현수; 이도형; 김바다; 황보람; 김창교
- Issue Date
- 2019
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Quantum dot; Quantum dot light-emitting diodes; Hole transport layer; Poly-TPD; PVK
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.32, no.5, pp 393 - 398
- Pages
- 6
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 32
- Number
- 5
- Start Page
- 393
- End Page
- 398
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/sch/handle/2021.sw.sch/5017
- DOI
- 10.4313/JKEM.2019.32.5.393
- ISSN
- 1226-7945
2288-3258
- Abstract
- Poly-TPD (Poly[bis(4-butypheny)-bis(phenyl)benzidine])와 PVK (poly(9-vinylcarbazole)) 이중층을 용액공정으로 제작한 CdSe/ZnS QLED (quantum dot light emitting diode)의 정공수송층 (HTL, hole transport layer),로 적용하였다. 40 nm 두께의 Poly-TPD 박막위에 0 nm, 35 nm, 45 nm와 55 nm 두께의 PVK 박막을 도포하여 정공수송층을 성막하였다. PVK의 두께가 HTL의 정공수송특성을 결정할 수 있기 때문에 QLED의 HTL 특성을 극대화하기 위해 PVK 두께를 최적화하였다. 정공수송층으로 poly-TPD만으로 되어 있는 QLED 소자에 비하여 poly-TPD위에 도포되어 있는 PVK의 두께가 45 nm인 QLED 소자의 발광 효율이 1.74배 개선되었다. 이것은 HTL와 양자점 발광층 사이 에너지 장벽이 감소된 것에 기인한다.
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