무기 및 유기 박막을 포함하는 웨이퍼 적층 구조의 본딩 결합력
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 권용재 | - |
dc.contributor.author | 석종원 | - |
dc.date.available | 2019-08-06T03:06:03Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.issn | 0304-128X | - |
dc.identifier.issn | 2233-9558 | - |
dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/cau/handle/2019.sw.cau/31354 | - |
dc.description.abstract | 패시베이션 및 절연 목적으로 이용하는 플라즈마 화학기상증착(PECVD)법에 의해 증착된 무기막과 웨이퍼 간 본딩 접착제로 이용하는 유기 박막 적층면의, 열 순환에 의한 잔류 응력 및 본딩 결합력의 효과를 4점 굽힙 시험법과 웨이퍼 곡률 측정법에 의해 평가하였다. 무기막으로는 산화 규소막(SiO2)과 산화 질화막(SiNx)이, 유기 박막으로는 BCB(Benzocyclobutene)가 이용되었다. 이를 통해, 열 순환 동안 무기막과 유기막 사이에서의 잔류 응력과 본딩 결합력의 상관관계에 대한 모델식을 개발하였다. 최대 온도 350 및 400˚C에서 수행한 열 순환 공정에서, PECVD 산화 질화막과 BCB로 구성된 다층막에서, 본딩 결합력은 첫 번째 순환 공정 동안 감소한다. 이는 산화질화막 내 잔류인장응력의 증가가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력의 감소를 유도한다는 모델식의 예측과 일치하며, PECVD 산화 규소막내 잔류 압축 응력의 감소가 다층막의 잔류응력에 의해 변형되는 에너지 및 본딩 결합력 상승을 이끄는 산화 규소막과 BCB 구조의 본딩 결합력 결과와 비교된다. 이러한 산화 규소막과 산화 질화막을 포함한 다층막의 상반된 본딩 결합력은 증착 공정 후 막 내에 형성된 수소 결합이 고온 순환 공정 동안 축합 반응을 통해 더 밀집되어 인장응력을 형성하기 때문임을 알 수 있었다. | - |
dc.format.extent | 7 | - |
dc.publisher | 한국화학공학회 | - |
dc.title | 무기 및 유기 박막을 포함하는 웨이퍼 적층 구조의 본딩 결합력 | - |
dc.title.alternative | Bond Strength of Wafer Stack Including Inorganic and Organic Thin Films | - |
dc.type | Article | - |
dc.identifier.bibliographicCitation | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK), v.46, no.3, pp 619 - 625 | - |
dc.identifier.kciid | ART001262119 | - |
dc.description.isOpenAccess | N | - |
dc.citation.endPage | 625 | - |
dc.citation.number | 3 | - |
dc.citation.startPage | 619 | - |
dc.citation.title | Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHAK) | - |
dc.citation.volume | 46 | - |
dc.publisher.location | 대한민국 | - |
dc.subject.keywordAuthor | Bond Strength | - |
dc.subject.keywordAuthor | Wafer Stack | - |
dc.subject.keywordAuthor | Residual Stress | - |
dc.subject.keywordAuthor | PECVD | - |
dc.subject.keywordAuthor | BCB | - |
dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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