Micro-probing 을 통한 DC 측정 방법에 대한 고찰

Abstract

차세대 반도체에 사용되는 interconnection으로써 TSV(Through-silicon via)는 스케일링에 용이하 며, 파워소모는 적으나, 마이크로 단위의 크기 때문에 고장진단이 어려운 단점이 있다. 미세한 크기 의 TSV는 종래의 웨이퍼 레벨에서 측정과 달리, 마이크로 범프에 손상이 가지 않아야 하며, 작은 프로브 팁을 사용해야 하는 등 제약사항이 있다. 점점 작아지는 반도체기술 추세에 맞추어, 본 논 문에서는 실험을 통해 micro-probing을 통한 DC측정 방법에 대해서 검토해본다.