In(Ga)N/GaN p-i-n 구조 성장 및 특성 분석

Abstract

최근 나노 기술이 적용된 고효율, 저가격의 새로운 차세대 태양전지에 대한 개발 및 연구가 진행 중 이다. 본 실험은 반도체의 광 흡수 스펙트럼과 태양광 스펙트럼의 극대화를 위해 기존 Si 물질을 III-N 물질구조를 이용 가시광선 및 근적외선 영역까지 확장 하여 태양전지로의 가능성을 살펴본다. Si 기판 위에 질화물계 구조를 성장할 때 p, n 형 도핑문제, 밴드 어긋나기에 의한 자유 운반자의 생성 및 운반 문제점 등 해결해야 할 여러 물리적 특성에 대하여 논의하였다. Molecular beam epitaxy 법으로 Si(111) 기판 위에 태양전지용 In(Ga)N/GaN p-i-n 구조를 성장하여 구조적, 광/전기적 특성은 scanning electron microscope와 photoluminescence, I-V 를 통하여 흡수 파장 및 다이오드의 특성에 대하여 논의 하였다.