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RHEED 분석을 통한 GaN nanorod 의 초기 성장 관찰
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오재응 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T01:10:13Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T01:10:13Z | - |
| dc.date.created | 2020-12-17 | - |
| dc.date.issued | 2009-02-12 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/25210 | - |
| dc.description.abstract | Molecular beam epitaxy(MBE)법으로 박막 성장 시 reflection high-energy electron diffraction (RHEED) 분석 장치는 박막 결정의 최상층 표면 구조와 박막 성장 과정을 실시간으로 분석할 수 있는 장치 이다. RHEED intensity 및 구조의 간격 변화를 이용하여 성장 파라미터에 따른 나노 구조의 초기 성장시 표면 변화 및 격자상수 변화과정을 분석 할 수 있다. 본 연구에서는 MBE 법으로 Si(111) 기판 위에 AlN와 GaN를 seed를 사용 하여 GaN nanorod를 성장시켰다. GaN nanorod 성장시 RHEED intensity와 격자 상수 변화를 관측 하여 AlN가 완충층으로서의 영향 및 GaN rod의 변형에 대하여 논의하였다. | - |
| dc.publisher | 한국진공학회 | - |
| dc.title | RHEED 분석을 통한 GaN nanorod 의 초기 성장 관찰 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 오재응 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 제36회 동계학술대회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 제36회 동계학술대회 | - |
| dc.citation.title | 제36회 동계학술대회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 강원 횡성 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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