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Si(100)기판 위에 성장한 AlxGa1-xSb 의 전기적, 구조적 특성조사
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오재응 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T02:09:51Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T02:09:51Z | - |
| dc.date.created | 2020-12-17 | - |
| dc.date.issued | 2008-04-18 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/26469 | - |
| dc.description.abstract | Sb기반 화합물 반도체는 고속전자소자 및 장파장 영역의 광소자 응용이 가능한 물질로서 대면저그이 값싼 Si 기판 위에 성장하려는 연구에 관심이 집중되고 있다. 그 중 AlxGa1-x는 Al의 조성에 따라 넓은 밴드갭을 가질 수 있고 산화에 강해 Sb기반의 전자소자 및 광소자 구조의 포텐셜 장벽과 클레드층으로 사용된다. 본 연구에서는 molecular beam epitaxy법을 이용하여 Si(100)기판 위에 AlxGa1-xSb 박막을 성장하였으며 성장조건에 따른 구조적 전기적 특성을 double crystal x-ray diffraction (DCXRD), atomic force microscopy,그리고 temperature dependent Hall측정을 통하여 조사하였다. 또한 schottky diode를 제작하여 Ⅰ-Ⅴ및 C-V 측정을 통하여 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도가 570℃이며 Ⅴ/Ⅲ비율이 45인 경우 Al0.8Ga0.2Sb의 DCXRD신호 반치폭이 306 arcsec로 가장 낮게 성장되었고 홀 농도와 이동도는 각각 2.74x10(18제곱)㎤과 298㎠/V.s로 측정되었다. | - |
| dc.publisher | 사단법인 한국물리학회 | - |
| dc.title | Si(100)기판 위에 성장한 AlxGa1-xSb 의 전기적, 구조적 특성조사 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 오재응 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국물리학회 봄 학술논문 발표회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 한국물리학회 봄 학술논문 발표회 | - |
| dc.citation.title | 한국물리학회 봄 학술논문 발표회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 대전컨벤션센터 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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