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MBE법으로 Si(100)위에 성장시킨 AlSb 박막의 특성분석
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오재응 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T04:11:58Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T04:11:58Z | - |
| dc.date.created | 2020-12-17 | - |
| dc.date.issued | 2005-10-20 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/29169 | - |
| dc.description.abstract | 고속 전자소자와 장파장용 광소자 응용이 가능한 Sb 계 ㅗ하합물반도체를 Si 기판위에 성장 하려는 연구가 많이 시도 되고 있따. AlSb는 wide bandgap 물질로 전자소자에서 bar-rier 로서 많이 쓰이고 있으며 강한 bonding energy를 기자고 있어서 강도 및 표면특성에서도 장점을 가지고 있는 물질이다. 본 연구에서는 molecualr beam epitaxy법으로 격자 부정합이 13%인 Si(100) 기판위에 성장된 AlSb 박막에 대하여 성장 조건에 따른 계면과 결정의 특성에 대하여 조사하였다. 완충층 성장 시 III-V 비와 성장 온도등 초기성장 조건을 달리하여 그 위에 성장된 AlSb 박막의 부정합에 따른 계면특성을 AFM,TEM,XRD등으로 조사 하였다. 저온 완충층을 이용 하였을 경우 AlSb 박막의 품질 및 표면특성이 좋아졌으며 특히 완충층 성장전에 Sb 흡착시간이 길어질수록 AFM의 RMS 값 또한 줄어드는 결과를 보였으며 XRD intensity 또한 확연히 강해지는 결과를 얻었다. 그리고 TEM 결과로부터 계면에서의 결함분포와 전위에 대한 종류에 대하여 논의 하였다. | - |
| dc.publisher | 한국물리학회 | - |
| dc.title | MBE법으로 Si(100)위에 성장시킨 AlSb 박막의 특성분석 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 오재응 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 2005년 가을학술논문발표회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 2005년 가을학술논문발표회 | - |
| dc.citation.title | 2005년 가을학술논문발표회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 전북대학교 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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