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MBE 법으로 성장된 GaSb 박막의 성장 조건에 따른 구조적 특성 분석
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 오재응 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T04:48:34Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T04:48:34Z | - |
| dc.date.created | 2020-12-17 | - |
| dc.date.issued | 2005-04-21 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/29796 | - |
| dc.description.abstract | Sb 포함된 화합물 반도체는 초고속소자 및 장파장 광소자로서 그동안 많은 관심을 가지고 연구되어 왔다. 본 연구에서는 molecualr beam epitaxy(MBE) 법으로 격자 부정합이 큰 GaAs 기판위에 성장된 GaSb 박막에 대하여 계면과 표면특성에 대하여 조사하였다. 완층층 박막성장 온도는 InAs와Alsb 완층층 종류에 대하여 달리하였으며 부정합에 따른 전위 생성과 표면변화 를 TEM,DCXRD,SEM등으로 조사하였다. 위 두 물질에 대하여 완충층 성장온도가 낮을수록 계면의 3차원성장은 증가하였나 그에 따른 전위 및 표면결함은 오히려 줄어 들었으며 DCXRD의 FWHM값 또한 줄어드는 결과를 보였다. 본 연구로부터 GaSb 박막성장시 완충층 성장조건이 미치는 원인에 대하여 논의 하였다. | - |
| dc.publisher | 사단법인 물리학회 | - |
| dc.title | MBE 법으로 성장된 GaSb 박막의 성장 조건에 따른 구조적 특성 분석 | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 오재응 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 제81회 정기총회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 제81회 정기총회 | - |
| dc.citation.title | 제81회 정기총회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 이화여자대학교 | - |
| dc.type.rims | CONF | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
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