GaAs 기판위에 3D buffer layer를 적용한 양질의 sb-based HEMT 구조성장

Abstract

격자부정합이 큰 GaAs 기판위에 MBE법으로 양자점 완충층을 사용 양질의 sb계 고속소자구조 를 얻었으며, 구조적 전기적 특성을 AFM, TEM, DCXRD,Hall effect등올 조사하였다. GaAs 와 GaSb 사이에 약 8%의 격자 부정합으로 인한 양질의 소자구조를 얻기가 어렵지만, 완충층으로 Alsb,InAs 양자점을 사용함으로써, 계면간의 어긋남으로 인한 hillock 같은 결함을 현저하게 줄여 우수한 표면상태를 얻었으며, 상온에서 높은 전자 이동도를 갖는 양질의 sb계 HEMT 구조를 성장 시킬수 있었다.