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대기압에서 실리콘 양자점 제조 및 비휘발성 메모리의 응용
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 안강호 | - |
| dc.contributor.author | 안진홍 | - |
| dc.contributor.author | 정혁 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-06-23T23:38:50Z | - |
| dc.date.available | 2021-06-23T23:38:50Z | - |
| dc.date.issued | 2005-04 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/erica/handle/2021.sw.erica/46003 | - |
| dc.description.abstract | 상온/상압의 분위기에서 코로나 분사 합성법을 이용하여 반도체 실리콘 나노 입자를 제조하였으며, 실리콘 입자의 전기적 특성을 관찰하기 위해 p-type 실리콘웨이퍼 위에 실리콘 나노 입자를 증착시켰다. 이때, 제조된 실리콘 나노 입자의 크기는 약 10 nm이었으며 기하표준편차는 1.31로 단분산성을 나타내었다. 이러한 조건에서, 실리콘 나노 입자의 양자 점 효과를 이용한 비휘발성 반도체 메모리를 제조하여 메모리효과를 분석한 결과, flat band voltage의 차이가 약 1.5 Volt 발생함을 확인하였다. | - |
| dc.format.extent | 5 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국반도체및디스플레이장비학회 | - |
| dc.title | 대기압에서 실리콘 양자점 제조 및 비휘발성 메모리의 응용 | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집, pp 146 - 150 | - |
| dc.citation.title | 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집 | - |
| dc.citation.startPage | 146 | - |
| dc.citation.endPage | 150 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
| dc.identifier.url | http://koreascience.or.kr/article/CFKO200509409834596.page?&lang=ko | - |
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