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조성비 변화에 의한 CIGS박막 특성에 관한 연구A study on CIGS thin film characteristic with composition ratio change
- Other Titles
- A study on CIGS thin film characteristic with composition ratio change
- Issue Date
- 2012
- Publisher
- 한국정보통신학회
- Keywords
- resistivity; absorbance spectra; substrate temperature; band gap; resistivity; absorbance spectra; substrate temperature; band gap; 저항율; 흡수스펙트럼; 기판온도; 밴드갭
- Citation
- 한국정보통신학회논문지, v.16, no.10, pp.2247 - 2252
- Journal Title
- 한국정보통신학회논문지
- Volume
- 16
- Number
- 10
- Start Page
- 2247
- End Page
- 2252
- ISSN
- 2234-4772
- Abstract
- 본 논문은 동시진공증발법(co-evaporation method)으로 CIGS 박막(thin film)을 제작을 하였다. 제작과정 중 기판온도(substrate temperature)변화와 Ga/(In+Ga) 조성비(composition ratio) 변화에 따른 저항율(resistivity) 및 흡수스펙트럼(absorbance spectra)을 측정하였다. 기판온도가 상승하면 저항율이 감소하였으며, Ga/(In+Ga) 조성비가 0.30에서 0.72까지 증가됨에 따라 밴드갭(band gap)이 1.26eV, 1.30eV, 1.43eV,1.47eV로 증가됨을 알 수 가 있었다. 동일한 조건에서 조성비를 증가하므로써 두께가 증가되었으며 저항율은 감소하였다. 본 실험을 통하여 CIGS 박막을 제작하면 광흡수률(optical absorbance ratio) 및 광전류(optical current)가 증가 될 것으로 예측할 수가 있다.
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