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CBD 방법에 의한 ZnS 버퍼층 형성의 착화제 농도에 따른 영향
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 권상직 | - |
| dc.contributor.author | 유인상 | - |
| dc.date.available | 2020-02-27T20:44:16Z | - |
| dc.date.created | 2020-02-12 | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/6802 | - |
| dc.description.abstract | 본 연구에서는 CdS를 대체하기 위한 물질로서 ZnS를 CBD 방법으로 형성하는 방법에 관해 기술하였다. CBD 방법으로 ZnS 박막을 형성한 경우, 전구체인 ZnSO4와 CS(NH2)2 및 착화제인 NH4OH의 몰 농도를 최적화 시켜면 CIGS의 버퍼층으로서 CdS 대비하여 우수한 특성을 가질 것으로 예상되었다. 특히 증착률, 투과도 및 에너지 밴드갭 측면에서 CIGS의 버퍼층으로 적용하기에 적합한 것으로 나타 났다. ZnS의 최적화를 통해 유해한 특성을 갖는 Cd가 배제된 친환경적인 버퍼층의 제조가 가능할 것으로 기대된다. | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.relation.isPartOf | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.title | CBD 방법에 의한 ZnS 버퍼층 형성의 착화제 농도에 따른 영향 | - |
| dc.title.alternative | Effect of the Concentration of Complexing Agent on the Formation of ZnS Buffer Layer by CBD Method | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.description.journalClass | 2 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2017.30.10.625 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.30, no.10, pp.625 - 630 | - |
| dc.identifier.kciid | ART002266497 | - |
| dc.citation.endPage | 630 | - |
| dc.citation.startPage | 625 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 30 | - |
| dc.citation.number | 10 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 권상직 | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 유인상 | - |
| dc.subject.keywordAuthor | CIGS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Solar-cell | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Buffer layer | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Cd-free | - |
| dc.subject.keywordAuthor | ZnS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | CBD | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
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