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1,700 V급 Static Induction Thyristor 소자 최적화Optimization of 1,700 V Static Induction Thyristor Devices

Other Titles
Optimization of 1,700 V Static Induction Thyristor Devices
Authors
문경숙구상모
Issue Date
2017
Publisher
한국전기전자재료학회
Keywords
Static induction thyristor; Thyristor; Power devices
Citation
전기전자재료학회논문지, v.30, no.7, pp.423 - 426
Journal Title
전기전자재료학회논문지
Volume
30
Number
7
Start Page
423
End Page
426
URI
https://scholarworks.bwise.kr/gachon/handle/2020.sw.gachon/6954
DOI
10.4313/JKEM.2017.30.7.423
ISSN
1226-7945
Abstract
고주파 전력소자로서 Si 기반 Static Induction Thyristor (SITH)에 대한 최적화 설계를 수행하였다. 소자 각 영역의 도핑농도와 두께 및 길이가 I-V 특성과 전력소자로서의 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 특히, 이러한 설계 파라메터와 재료의 물성과 소자의 스위칭 특성과의 상관관계를 분석하기 위하여 2차원 기반 시뮬레이션 및 회로 연계 시뮬레이션을 수행하였다. 제안된 1700 V SITH 소자에 대한 최적화된 구조에서 스위칭 턴오프 시간 (t_off)이 ~0.26 μs 이하로 향상시킬 수 있음을 보여주었고, 이러한 소재 및 소자 구조를 구현하기 위하여서는 thick-epitaxy 기반 기술이 대표적으로 중요한 요건임을 확인할 수 있었다.
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