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IGZO 반도체 및 구리 전극의 deep-UV/IPL 광어닐링 공정을 통한 TFT 특성 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 장용래 | - |
| dc.contributor.author | 문창진 | - |
| dc.contributor.author | 박종휘 | - |
| dc.contributor.author | 김학성 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-02T11:52:55Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-02T11:52:55Z | - |
| dc.date.created | 2021-05-14 | - |
| dc.date.issued | 2019-04 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/14199 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | ko | - |
| dc.publisher | 대한기계학회 | - |
| dc.title | IGZO 반도체 및 구리 전극의 deep-UV/IPL 광어닐링 공정을 통한 TFT 특성 연구 | - |
| dc.title.alternative | Study on all intense pulsed light (IPL) annealed thin film transistor (TFT) using IGZO semiconductor and Cu source drain via UV-assisted flash light irradiation | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.contributor.affiliatedAuthor | 김학성 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 대한기계학회 재료 및 파괴부문 2019년도 춘계학술대회 논문집, pp.43 - 44 | - |
| dc.relation.isPartOf | 대한기계학회 재료 및 파괴부문 2019년도 춘계학술대회 논문집 | - |
| dc.citation.title | 대한기계학회 재료 및 파괴부문 2019년도 춘계학술대회 논문집 | - |
| dc.citation.startPage | 43 | - |
| dc.citation.endPage | 44 | - |
| dc.type.rims | ART | - |
| dc.type.docType | Proceeding | - |
| dc.description.journalClass | 3 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | other | - |
| dc.identifier.url | https://www.dbpia.co.kr/journal/articleDetail?nodeId=NODE08754188 | - |
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- COLLEGE OF ENGINEERING (SCHOOL OF MECHANICAL ENGINEERING)