CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상 평가Thermal damage characterization of silicon wafer subjected to CW laser beam
- Other Titles
- Thermal damage characterization of silicon wafer subjected to CW laser beam
- Authors
- Choi, Sungho; Kim, Chungseok; Jhang, Kyung-Young; Shin, Wan-Soon
- Issue Date
- Oct-2012
- Publisher
- Korean Society of Mechanical Engineers
- Keywords
- Crack; CW Laser; Melting; Silicon Wafer; 연속파 레이저; 실리콘 웨이퍼; 균열; 용융
- Citation
- Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, A, v.36, no.10, pp.1241 - 1248
- Indexed
- SCOPUS
KCI
- Journal Title
- Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, A
- Volume
- 36
- Number
- 10
- Start Page
- 1241
- End Page
- 1248
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/164513
- DOI
- 10.3795/KSME-A.2012.36.10.1241
- ISSN
- 1226-4873
- Abstract
- 본 연구의 목적은 CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상을 평가하는 것이다. 먼저, 레이저 조사에 의한 온도 및 응력 변화를 3 차원 유한요소해석 모델을 이용하여 예측하였다. 해석 결과, 93 W/㎠의 레이저 빔이 조사되었을 때, 실리콘 웨이퍼의 표면의 응력은 약 140 MPa 까지 증가하였으며 균열이 발생할 것으로 예측되었다. 레이저 강도가 더욱 증가하여 186 W/㎠ 일 때에는 실리콘 웨이퍼의 표면의 온도는 1432℃까지 증가하였으며 표면부가 용융될 것으로 예상되었다. 실험 결과, 102 W/㎠ 의 레이저 빔이 실리콘 웨이퍼 표면에 조사되었을 때 표면부에 균열이 발생하였고, 레이저 빔의 강도가 더욱 증가하여 140 W/㎠ 일때 표면부에서 용융이 발생하였다. 용융이 발생하는 레이저 빔의 강도는 유한요소해석 결과보다 낮은 값이었으며 이는 표면부에서 생성된 균열에 의해 레이저 빔의 다중반사와 다중흡수가 일어나 레이저 빔의 흡수량이 증가하였기 때문이다.
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