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CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상 평가Thermal damage characterization of silicon wafer subjected to CW laser beam

Other Titles
Thermal damage characterization of silicon wafer subjected to CW laser beam
Authors
Choi, SunghoKim, ChungseokJhang, Kyung-YoungShin, Wan-Soon
Issue Date
Oct-2012
Publisher
Korean Society of Mechanical Engineers
Keywords
Crack; CW Laser; Melting; Silicon Wafer; 연속파 레이저; 실리콘 웨이퍼; 균열; 용융
Citation
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, A, v.36, no.10, pp.1241 - 1248
Indexed
SCOPUS
KCI
Journal Title
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, A
Volume
36
Number
10
Start Page
1241
End Page
1248
URI
https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/164513
DOI
10.3795/KSME-A.2012.36.10.1241
ISSN
1226-4873
Abstract
본 연구의 목적은 CW 레이저 조사에 의한 실리콘 웨이퍼의 손상을 평가하는 것이다. 먼저, 레이저 조사에 의한 온도 및 응력 변화를 3 차원 유한요소해석 모델을 이용하여 예측하였다. 해석 결과, 93 W/㎠의 레이저 빔이 조사되었을 때, 실리콘 웨이퍼의 표면의 응력은 약 140 MPa 까지 증가하였으며 균열이 발생할 것으로 예측되었다. 레이저 강도가 더욱 증가하여 186 W/㎠ 일 때에는 실리콘 웨이퍼의 표면의 온도는 1432℃까지 증가하였으며 표면부가 용융될 것으로 예상되었다. 실험 결과, 102 W/㎠ 의 레이저 빔이 실리콘 웨이퍼 표면에 조사되었을 때 표면부에 균열이 발생하였고, 레이저 빔의 강도가 더욱 증가하여 140 W/㎠ 일때 표면부에서 용융이 발생하였다. 용융이 발생하는 레이저 빔의 강도는 유한요소해석 결과보다 낮은 값이었으며 이는 표면부에서 생성된 균열에 의해 레이저 빔의 다중반사와 다중흡수가 일어나 레이저 빔의 흡수량이 증가하였기 때문이다.
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