비정질 실리콘 박막의 알루미늄 직접 가열 유도 결정화 공정Direct-aluminum-heating-induced crystallization of amorphous silicon thin film
- Other Titles
- Direct-aluminum-heating-induced crystallization of amorphous silicon thin film
- Authors
- Park, Ji-Young; Lee, Dae-Geon; Moon, Seung-Jae
- Issue Date
- Oct-2012
- Publisher
- Korean Society of Mechanical Engineers
- Keywords
- Aluminum Induced Crystallization; P-Doped Silicon; Porous Silicon; Solar Cell; Thermal Imaging; 태양전지; 알루미늄 유도 결정화; p형 반도체; 다공성 실리콘; 열화상 카메라 온도
- Citation
- Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, B, v.36, no.10, pp.1019 - 1023
- Indexed
- SCOPUS
KCI
- Journal Title
- Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers, B
- Volume
- 36
- Number
- 10
- Start Page
- 1019
- End Page
- 1023
- URI
- https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/164516
- DOI
- 10.3795/KSME-B.2012.36.10.1019
- ISSN
- 1226-4881
- Abstract
- 본 연구에서는 새로운 알루미늄 유도 결정화 공정을 제안하였다. 알루미늄 박막에 직접 3 A 의 정전류를 인가하여 1 cm × 1 cm 넓이의 두께 200 nm 비정질 실리콘 박막을 수십 초 내에 결정화하는 방법이다. 결정화된 다결정 실리콘 박막은 520 cm-1 에서의 라만 분광 피크를 통해 확인할 수 있었다. 공정후, 알루미늄이 식각된 다결정 실리콘 박막은 다공성 구조임을 SEM 을 통하여 확인할 수 있었다. 또한, 이차이온질량분석(secondary ion mass spectroscopy)에서 알루미늄 농도가 1021 cm-3 으로 헤비 도핑된 것을 확인 할 수 있었으며, 실시간으로 측정된 열화상 카메라의 결과를 통해 결정화는 820 K 근처에서 일어나는 것을 확인할 수 있었다.
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