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고 에너지 전자빔 조사에 따른 ZnO 기판의 결함생성 및 전기적 특성 변화Electrical Properties and Defect States in ZnO Substrates Irradiated by MeV Electron-beam
- Other Titles
- Electrical Properties and Defect States in ZnO Substrates Irradiated by MeV Electron-beam
- Issue Date
- May-2010
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- 전자빔; ZnO; 결함상태; Deep level transient spectroscopy; Electron beam; ZnO; Defect states; Deep level transient spectroscopy
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.19, no.3, pp.199 - 205
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 19
- Number
- 3
- Start Page
- 199
- End Page
- 205
- ISSN
- 1225-8822
- Abstract
- 수열합성법(hydrothermal) 방식으로 성장한 ZnO 기판에 고에너지의 전자빔을 조사시킨 후 쇼트키(Schottky)다이오드를 제작하여 결함상태와 전기적 특성 변화를 조사하였다. 1 MeV 및 2 MeV 전자빔으로 1×1016 electrons/㎠ dose로 기판의 Zn 면에 조사하였다. 1 MeV 전자빔이 조사된 시료에서는 표면에 전자빔 유도결함을 형성시켜 누설전류를 증가시켰고, 2 MeV 전자빔의 경우는 오히려 다이오드 누설절류 감소와 on/off 특성을 향상시키는 것으로 나타났다. 이들 시료에 대한 DLTS (deep level transient spectroscopy) 측정결과 전자빔 조사에 따른 전기적 물성변화는 활성화에너지와 포획단면적이 각각 Ec-0.33 eV 및 2.97×10-15 cm-2인 O-vacancy가 주된 연관성을 보였으며, 활성화에너지 Ev＋0.8 eV인 결함상태도 새롭게 생성되었다.
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Collections - 서울 자연과학대학 > 서울 물리학과 > 1. Journal Articles
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