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버퍼 층을 이용한 RF 마그네트론 스퍼터 방법에 의한 Al:ZnO 박막의 성장Characterization of Al-Doped ZnO Thin Film Grown on Buffer Layer with RF Magnetron Sputtering Method
- Other Titles
- Characterization of Al-Doped ZnO Thin Film Grown on Buffer Layer with RF Magnetron Sputtering Method
- Issue Date
- May-2009
- Publisher
- 한국진공학회
- Keywords
- Al:ZnO; 비저항; 투명전극; RF 마그네트론 스퍼터링; 버퍼층; 압축 응력; Al-ZnO; Resistivity; TCO; RF magnetron sputtering; Buffer layer; Residual stress
- Citation
- Applied Science and Convergence Technology, v.18, no.3, pp.213 - 220
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- Applied Science and Convergence Technology
- Volume
- 18
- Number
- 3
- Start Page
- 213
- End Page
- 220
- ISSN
- 1225-8822
- Abstract
- Al이 도핑된 투명 전도성 Al:ZnO (AZO) 박막에 대한 RF magnetron sputtering증착 법을 이용한 저온 최적공정조건을 연구하였다. 투명전극 재료로써의 AZO박막의 전기적, 결정학적 물성을 최대한 향상시키기 위해서, in-situ상태에서 유리기판상에 최적화된 증착 조건의 AZO 버퍼 층을 삽입하는 이중박막 구조를 제작하였다. RF 인가 전력 50~60 W에서 증착된 버퍼층 위에 120 W의 RF 전력에서 성장한 AZO 박막의 경우, 비저항 3.9×10-4 Ωcm, 전하 캐리어농도 1.22×1021/cm3, 홀 이동도 9.9 cm2/Vs의 전기적 특성을 보였다. 이러한 결과는 버퍼 층이 없는 기존의 단일 구조와 비슷하나, 전기적 비저항 특성을 약 30% 정도 향상시킬 수 있었으며, 전기적 특성의 향상 원인을 Ar+ 이온의 입사 에너지의 변화에 따른 버퍼 층의 압축응력과 결정화 정도와의 의존성으로 설명하였다.
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Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 1. Journal Articles
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