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두께가 다른 2개의 게이트 산화막과 질화막 층을 포함한 FinFET구조를 가진 2-비트 낸드플래시 기억소자의 전기적 성질
- Authors
- 김태환
- Issue Date
- 17-Feb-2010
- Publisher
- 한국진공학회
- Citation
- 2010년 한국 진공학회 동계 정기학술대회
- Conference Name
- 2010년 한국 진공학회 동계 정기학술대회
- Place
- 현대성우리조트, 횡성, Korea
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- Appears in
Collections - 서울 공과대학 > 서울 융합전자공학부 > 2. Conference Papers
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