금속산화물 반도체 및 자성반도체 양자점 터널링소자 구조형성 및 물성연구

Abstract

본 연구에서 사용된 금속 산화물 나노 양자점은 polymide 박막 matrix내에 분산된 금속 산화물 반도체 및 자성반도체 양자점을 형성하는 새로운 기법을 이용하였다. 즉, 반도체 또는 절연체 기판위에 Cu, Zn, Fe, Sn 등의 금속박막을 성장하고 polymide의 precursor인 polymic acid를 스핀코팅 한 후, 400℃ 이하의 저온 curing 공정을 거쳐 polymides에 10-30nm 직경의 나노점을 형성하는 기법이다. 이와 같은 기법으로 형성된 나노 양자점을 이용한 양자점 터널링 소자구조 제작을 위해 먼저, 실리콘 산화막 기판위에 Au박막을 증착한 후, 일반적인 광리소그래피 방법으로 probe패턴을 형성한 다음, 전자빔 리소그래피법으로 30nm의 갭을 갖는 nano lever arm을 제작하였다. 최종적으로 제작된 터널링 소자의 source와 drain이 될 Au패턴을 이용하고, gate는 후에 시료뒷면에 형성하게 된다.