Screen 플라즈마 질화처리에서 Power가 균일도에 미치는 영향

Abstract

screen plasma질화처리는 Screen의 Hollow cathode effect를 이용한 플라즈마 상태에서 질소를 침투시켜 내마모 및 내피로성을 향상시키는 질화기술로 시편에 직접적인 load가 없기 때문에 기존의 플라즈마 질화법이 가지고 있던 아크로 인한 표면피해 및 edging 효과가 없는 장점이 있다.플라즈마 질화법은 아크로 인한 표면피해 이외에 균일도의 문제점이 있어 본실험에서 power에 변화를 주어 균일도에 미치는 영향을 분석하였다.실험에 사용된 소재는S20C,SCM415로서 각각 홀가공하였으며 진공에서 heater로 승온한후 Screen에 power를 주어 플라즈마를 이용 heating 580도를 유지하였다.가스는 N2와 H2 3:7의 혼합 가스를 사용하였고 질화처리를 실시한 후 화합물층의 phase 및 경도,두께등을 비교분석하였다.