Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
Fabrication of the triode struture FEA using the directly grown CNTs on SiO2-Si substrate and field emission properties
Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 안진호 | - |
| dc.date.accessioned | 2021-08-04T09:40:02Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-04T09:40:02Z | - |
| dc.date.issued | 2000-04-29 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.bwise.kr/hanyang/handle/2021.sw.hanyang/80587 | - |
| dc.description.abstract | 탄소 나노튜브의 디스플레이 응용을 위하여 Si기판상에 게이트를 갖는 삼극구조를 제조하고 선택적 위치에 탄소나노튜브 방출원이 직접 성장된 전계 전자 방출원을 제조하였다. 종래의 MICRO-TIP을 사용한 FED에서 게이트 전극 재료로 사용된 크롬 전극 대신 탄소나노튜브의 성장조건에서 안정한 새로운 게이트 전극 재료가 사용하였으며, 발광명인 anode 전극에는 500nm두께의 Mn-doped ZnS 발광 박막을 전자선 증착하였다. 제조된 FED에 대한 CL발광특성을 조사하고, 인가 전계에 따른 anode 전류 특성과 transconductance 특성을 분석하여 표시소자용 공정 및 응용성에 대하여 논의하였다. | - |
| dc.title | Fabrication of the triode struture FEA using the directly grown CNTs on SiO2-Si substrate and field emission properties | - |
| dc.type | Conference | - |
| dc.citation.conferenceName | 한국물리학회 춘계학술발표대회 | - |
| dc.citation.conferencePlace | 육군사관학교 | - |
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - 서울 공과대학 > 서울 신소재공학부 > 2. Conference Papers
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Related Researcher
- Ahn, Jinho
- COLLEGE OF ENGINEERING (SCHOOL OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING)